介绍碳化硅石墨坩埚的一些知识

       关于碳化硅石墨坩埚可能大家都知道，但为什么碳化硅石墨坩埚具有这些特性？也许人们不会知道。关于这些，接下来将为您介绍以更好的了解碳化硅信息。
       碳化硅是一种组成碳化物，一般由二氧化硅和碳在2000℃以上的高温下通电后构成。碳化硅的理论密度为3.18克/立方厘米，其莫氏硬度仅次于金刚石，介于9.2和9.8之间，显微硬度为3300千克/立方毫米，因为它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性和高温强度等特性，被用于各种耐磨损性，它是一种新型的工程陶瓷材料。
碳化硅的根本性能
1.化学性质
抗氧化性：当碳化硅材料在空气中加热至1300℃时，碳化硅晶体表面开始构成二氧化硅保护层。跟着保护层的增厚，防止了内部碳化硅继续被氧化，这使得碳化硅具有更好的抗氧化性。当温度达到1900K（1627℃）以上时，二氧化硅的保护膜开始被破坏，碳化硅的氧化加重，因此1900K是碳化硅在含有氧化剂的气氛中的较高工作温度。
耐酸碱性：在耐酸、耐碱和氧化物的效果下，因为二氧化硅保护膜的效果，碳化硅的耐酸性很强，耐碱性稍差。
2.物理力学性能
密度：各种碳化硅晶体颗粒密度非常接近，一般认为是3.20克/毫米3，碳化硅磨料的自然密度在1.2-1.6克/毫米2之间，其高度取决于粒度数量、粒度组成和颗粒形状。
硬度：碳化硅的莫氏硬度为9.2，韦斯勒显微硬度为3000-3300 kg/mm2，Knapp硬度为2670-2815 kg/mm2，高于刚玉，在磨猜中仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。

导热性：碳化硅制品具有较高的导热性、较小的热膨胀系数、较高的抗热震性，是一种优质的耐火材料。
3.电气性能
在室温下，工业碳化硅是一种半导体，杂质导电。高纯碳化硅电阻率随温度的升高而下降，含杂质碳化硅根据其杂质的不同，电导率也不同。碳化硅的另一个电特性是电致发光，而且现已开宣布实用的器件。
4、其他性能良好的亲水性、远红外辐射等。
以上是关于碳化硅的一些根本信息，正是因为这些要素，使碳化硅成为碳化硅石墨坩埚生产质料。